যুক্তরাষ্ট্রের সান্তা ক্লারায় আয়োজিত ফিউচার অব মেমরি অ্যান্ড স্টোরেজ (এফএমএস) শো-তে স্যামসাং তাদের নতুন প্রজন্মের মেমরি ও স্টোরেজ প্রযুক্তি ঘোষণা করেছে। কোম্পানিটি তাদের নতুন জ়েডএইচবিএম (zHBM) ও ভি১০ বিভি-ন্যান্ড (V10 BV-NAND) প্রযুক্তির মডেল উন্মোচন করেছে, যা মূলত কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা বা এআই ডেটা সেন্টারের সক্ষমতা বাড়াতে তৈরি করা হয়েছে। সাধারণ গ্রাহকদের জন্য সাশ্রয়ী মূল্যে ডিডিআর৫ র্যামের সহজলভ্যতার পরিবর্তে এই উন্নত প্রযুক্তিগুলো বড় বড় এআই ডেটা সেন্টারের চাহিদা মেটাতেই বেশি কাজে লাগবে।
প্রযুক্তিগত সক্ষমতা
স্যামসাংয়ের নতুন জ়েডএইচবিএম আর্কিটেকচারে এইচবিএম মেমরিকে সরাসরি এআই এক্সিলারেটরের ওপর লম্বালম্বিভাবে স্তূপ করা হয়েছে। এটি পূর্বের তুলনায় কার্যক্ষমতা আট গুণ পর্যন্ত বাড়াতে সক্ষম। এছাড়া নতুন ওয়েফার বন্ডিং প্রযুক্তির মাধ্যমে বর্তমান এইচবিএম৫-এর তুলনায় ১০ গুণ বেশি মেমরি ডেনসিটি এবং তিন গুণ বেশি জ্বালানি দক্ষতা পাওয়া যাবে বলে কোম্পানিটি জানিয়েছে।
স্টোরেজ প্রযুক্তির উন্নয়ন
কোম্পানিটি ভি১০ বিভি-ন্যান্ড নামে নতুন ধরনের মেমরি উন্মোচন করেছে, যেখানে ৪০০টির বেশি মেমরি সেলের স্তর ব্যবহার করা হয়েছে। এটি পূর্ববর্তী ভি৯ প্রজন্মের তুলনায় ৫৮ শতাংশ বেশি মেমরি ডেনসিটি নিশ্চিত করবে এবং রিড, রাইট ও আই/ও পারফরম্যান্স বৃদ্ধি করবে। এছাড়া এজ এআই পরিবেশের জন্য জ়েডন্যান্ড-ও (zNAND-O) এবং প্রসেসিং-ইন-মেমরি প্রযুক্তির এলপিডিডিআর৫এক্স-পিআইএম (LPDDR5X-PIM) প্রযুক্তিও প্রদর্শন করেছে স্যামসাং।
কেন গুরুত্বপূর্ণ
বর্তমানে স্যামসাং এবং এসকে হাইনিক্স বিশ্বের মেমরি উৎপাদনের সিংহভাগ নিয়ন্ত্রণ করে। বর্তমান এআই বিপ্লবের কারণে বিশ্বজুড়ে মেমরির যে ব্যাপক চাহিদা তৈরি হয়েছে, তা মেটাতে হিমশিম খাচ্ছে এই প্রতিষ্ঠানগুলো। এর ফলে স্মার্টফোন, ল্যাপটপ এবং গেমিং কনসোলের মতো নিত্যপ্রয়োজনীয় ইলেকট্রনিক পণ্যের দাম অস্বাভাবিক হারে বৃদ্ধি পাচ্ছে।
